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Di NTTFS3A08PZTAG del transistor di IC del chip singolo P Mosfet 20V 9A 8WDFN di potere di Manica dei FETs

Categoria:
Chip di IC del transistor
Price:
Discussible
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Tipo:
Mosfet
D/C:
Norma
Tipo del pacchetto:
WDFN-8
Applicazione:
Norma
Tipo del fornitore:
Produttore originale, ODM, agenzia, rivenditore, altro
Media disponibili:
la scheda, foto, EDA/CAD modella, altro
Marca:
Mosfet
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
20 V
Temperatura di funzionamento:
-55 ℃ ℃~150
Montaggio del tipo:
Supporto di superficie
Pacchetto/caso:
WDFN-8, WDFN-8
Vuoti a tensione di fonte (Vdss):
20 V
Numero degli elementi:
1
Numero dei perni:
8
Max Operating Temperature:
°C 150
configurazione dell'elemento:
singolo
Min Operating Temperature:
-55 °C
Tempo di aumento:
56 NS
RDS su massimo:
mΩ 6,7
Numero dei canali:
1
RoHS:
Compiacente
Evidenziare:

Chip di IC del transistor di NTTFS3A08PZTAG

,

Chip di IC del transistor del MOSFET

,

Mosfet 20V di potere di Manica di P

Introduzione

Di NTTFS3A08PZTAG dei transistor dei FETs singolo P-CH 20V 9A 8WDFN P-Manica dei MOSFETs

 

Descrizione di prodotti:

1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, MOSFET di potere di P-Manica

2. wdfn di superficie del supporto 840mW (tum) 8 di P-Manica 20V 9A (tum) (3.3x3.3)

3. PE T/R del MOSFET P-CH 20V 22A 8-Pin WDFN del trasporto

4. componenti -20V, - 15A, 6.7m, potere MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG del canale di P

 

 

Assicurazione di qualità:
1. Ogni processo di produzione ha una persona speciale da provare per assicurare la qualità
2. Abbia ingegneri professionisti per controllare la qualità
3. Tutti i prodotti hanno passato il CE, il FCC, ROHS ed altre certificazioni

 

 

Parametri tecnologici:

Tipo del FET P-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20 V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 9A (tum)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 56 nC @ 4,5 V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 5000 PF @ 10 V
Dissipazione di potere (massima) 840mW (tum)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-WDFN (3.3x3.3)
Numero del prodotto di base NTTFS3

 

Immagine del prodotto:

Di NTTFS3A08PZTAG del transistor di IC del chip singolo P Mosfet 20V 9A 8WDFN di potere di Manica dei FETs

Assicurazione di qualità:

1. Ogni processo di produzione ha una persona speciale da provare per assicurare la qualità

2. Abbia ingegneri professionisti per controllare la qualità

3. Tutti i prodotti hanno passato il CE, il FCC, ROHS ed altre certificazioni

 

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MOQ:
Discussible