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MOSFET NPN Chip SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G di IC del transistor

Categoria:
Chip di IC del transistor
Price:
discussible
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
resistenza di Scolo-fonte:
0,1 Ω
polarità:
P
tensione della soglia:
0,4 V
Pacchetto:
SOT-23-3
Pacchetto minimo:
3000
Norma di RoHS:
RoHS compiacente
Norma del cavo:
Senza piombo
Evidenziare:

MOSFET NPN Chip di IC del transistor

,

Chip SOT-23 di IC del transistor

,

LP2301BLT1G

Introduzione

Nuovo transistor originale PNP SOT-23 (SOT-23-3) LP2301BLT1G del MOSFET NPN

Prodotti Descrizione:

Diodi e raddrizzatori di 1.MOS (transistor di effetto di campo) /LP2301BLT1G

materiale 2.the dei requisiti del withRoHS di conformità del prodotto ed alogeno libero

3.S- prefisso per requisiti automobilistici ed altri del cambiamento del sito e di controllo del requiringunique di applicazioni; AEC-Q101qualified e PPAP capaci

4.RDS (SOPRA), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =150MΩ

5.RDS (SOPRA), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =110MΩ

gestione 6.Power in commutatore a pile DSC del carico di sistema dell'attrezzatura portatile del taccuino

VALUTAZIONI MASSIME (tum = 25ºC)

Parametro Simbolo Limiti Unità
Tensione di Scolo-fonte VDSS -20 V
Tensione di Portone--fonte – continua VGS ±8 V
Vuoti corrente (nota 1)
– TUM = 25°C continui
– Pulsato

Identificazione

IDM

-2

-10

CARATTERISTICHE TERMICHE

Parametro Simbolo Limiti Unità
Dissipazione di potere massima Palladio 0,7 W
Resistenza termica,
Giunzione--ambientale (nota 1)
RΘJA 175 C/W
Temperatura di stoccaggio e della giunzione TJ, Tstg −55∼+150 C

Parametri tecnologici:

resistenza di Scolo-fonte 0,1 Ω
Polarità P
Tensione della soglia 0,4 V
tensione di Scolo-fonte (Vds) 20 V
Corrente continua dello scolo (ID) 2.8A
Pacchetto SOT-23-3
Pacchetto minimo 3000
Norma di RoHS RoHS compiacente
norma del cavo Senza piombo
numero di perno 6

 

 

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Stoccaggio:
MOQ:
discussible