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2N7002 circuiti integrati di Manica SMD 60V 115MA del Mosfet N

Categoria:
Chip di IC del transistor
Price:
discussible
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Tensione nominale:
60,0 V
Corrente nominale:
115 mA
Potere stimato:
200 Mw
polarità:
N-Manica
Metodo dell'installazione:
Supporto di superficie
Numero di Pin:
3
Pacchetto:
SOT-23-3
Evidenziare:

2N7002 Manica SMD del Mosfet N

,

Mosfet di Manica di 60V N

,

Mosfet SMD di Manica di N

Introduzione

Piccolo MOSFET N-CH 60V 115MA dei transistor di effetto di campo del segnale dei circuiti integrati 2N7002

 

Prodotti Descrizione:

 

2N7002 transistor, MOSFET, N-Manica, 115 mA, 60 V, 1,2 ohm, 10 V, 2,1 V

Il 2N7002 è un transistor di effetto di campo del modo di potenziamento di N-Manica prodotto facendo uso di alta densità delle cellule e della tecnologia di DMOS. Minimizza la resistenza dello su stato mentre la prestazione di commutazione irregolare, affidabile e veloce di fornitura. Può essere utilizzato nella maggior parte delle applicazioni che richiedono fino alla CC 400mA e può consegnare le correnti pulsate fino a 2A. Adatto ad applicazioni a bassa tensione e a corrente debole, quali i piccoli servo driver del portone del MOSFET di potere e del controllo motorio.

Progettazione ad alta densità delle cellule per estremamente - RDS basso (SOPRA).

Alta capacità della corrente di saturazione.

Commutatore controllato del segnale di tensione piccolo.

Irregolare ed affidabile

Questo transistorsare prodotto facendo uso di Fairchild privata, alta densità delle cellule, tecnologia di effetto di campo di modo di potenziamento di N-Manica di DMOS. Questi prodotti sono stati progettati tominimize l'attimo della resistenza dello su stato forniscono la prestazione di commutazione irregolare, affidabile e veloce. Possono essere utilizzati in mostapplications che richiedono fino alla CC 400mA e possono deliverpulsed le correnti fino a 2A. Questi prodotti particularlysuited per bassa tensione, le applicazioni a corrente debole quale il controllo motorio di smallservo, i driver del portone del MOSFET di potere e le applicazioni otherswitching.

Parametri tecnologici:

 
Tensione nominale (CC) 60,0 V
Corrente nominale 115 mA
Potere stimato 200 Mw
numero di perno 3
resistenza di Scolo-fonte 1,2 Ω
Polare N-Manica
Potere dissipato 200 Mw
Tensione della soglia 2,1 V
tensione di Scolo-fonte (Vds) 60 V
tensione di ripartizione di Portone-fonte ±20.0 V

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Stoccaggio:
MOQ:
discussible